专业解决五金冲压难题

高精密异形件加工，一站式解决方案

  半导体设备巨子厂商东京电子近来发布音讯，宣告成功开宣告一种存储芯片通孔蚀刻技能，这项立异技能能够

  据称，该技能的使用有助于制作更高容量的3D NAND，可用来制作400层以上堆叠的3D NAND闪存芯片。

  据了解，研讨团队开发的新工艺，初次将电蚀刻使用带入低温规模，并创始性地发明晰具有极高蚀刻速率的体系。东京电子表明，开发这项技能的团队，将于近期日本京都举行的2023年超大规模集成电路技能和工艺研讨会上发布最新效果和陈述。

  此外，在闪存技能发展上，SK海力士于上星期宣告，已开端量产238层4D NAND闪存，并正在与出产智能手机的海外客户公司做产品验证。